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株式会社 豊島製作所  マテリアルシステム事業部
株式会社豊島製作所 マテリアルズシステム事業部Phone0493-24-6774
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論 文

Temperature effects on cycling stability of Li plating/stripping on Ta-doped Li7La3Zr2O12

Fumihiro Yonemotoa, Atsuki Nishimuraa, Munekazu Motoyamaa, Nobuo Tsuchimineb, Susumu Kobayashib, Yasutoshi Iriyamaa,

aNagoya University, bToshima Manufacturing Co., Ltd.

J. Power Sources, 343 207 (2017).

High rate capability of a BaTiO3-decorated LiCoO2 cathode prepared via metal organic decomposition

Takashi Teranishi1, Naoto Katsuji1, Yumi Yoshikawa1, Mika Yoneda1, Hidetaka Hayashi1, Akira Kishimoto1, Koji Yoda2, Hidefumi Motobayashi2 and Yuzo Tasaki2

1Okayama University, 2Toshima Manufacturing Co., Ltd.

Jpn. J. Appl. Phys., 55 10TB01 (2016).

Room-temperature fabrication of highly oriented β-Ga2O3 thin films by excimer laser annealing

Daishi Shiojiria, Ryosuke Yamauchia, Daiji Fukudaa, Nobuo Tsuchimineb, Satoru Kanekoc, a, Akifumi Matsudaa, Mamoru Yoshimotoa

aTokyo Institute of Technology, bToshima manufacturing Co., Ltd., cKanagawa Industrial Technology Center

J. Cryst. Growth 424 38 (2015)

Direct growth of metallic TiH2 thin films by pulsed laser deposition

Kohei Yoshimatsu1, Takayuki Suzuki1, Nobuo Tsuchimine2, Koji Horiba3, 4, Hiroshi Kumigashira3, 4, Takayoshi Oshima1 and Akira Ohtomo1, 4

1Tokyo Institute of Technology, 2Toshima Manufacturing Co., Ltd., 3Photon Factory, Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization (KEK), 4 Materials Research Center for Element Strategy (MCES), Tokyo Institute of Technology

Applied Physics Express, Vol. 8 No. 3 035801 (2015).

Layer matching epitaxy of NiO thin films on atomically stepped sapphire (0001) substrates

Ryosuke Yamauchi1, Yosuke Hamasaki1, Takuto Shibuya2, Akira Saito2, Nobuo Tsuchimine3, Koji Koyama4, Akifumi Matsuda1 and Mamoru Yoshimoto1

1Tokyo Institute of Technology, 2Osaka University, 3Toshima Manufacturing Co., Ltd., 4Namiki Precision Jewel Co., Ltd.

Scientific Reports, 5 14385 (2015).

学会発表

2017年 秋

全固体Liイオン電池の高出力化に向けた強誘電体SEIの開発

猪原匡洸1,吉川祐未1, 寺西貴志1, 林秀考1, 岸本昭1, 田中勉2,依田孝次2,本林秀文2, 田崎雄三2

1.岡山大, 2.豊島製作所

日本セラミックス協会第30回秋季シンポジウム, 1PD09

一軸加圧下熱処理による層状Bi-V-O系薄膜の固相結晶化と特性評価

伊藤翔陽1,難波諒太郎1,土嶺信男2, 金子智3, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.神奈川県産技セ

第78回応用物理学会秋季学術講演会, 8a-C24-5

周期的NiOナノ構造バッファ上におけるβ-Ga2O3薄膜のレーザー励起室温固相エピタキシー

森田公之1,中村稀星1,土嶺信男2, 金子智3, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.神奈川県産技セ

第78回応用物理学会秋季学術講演会, 8a-PA4-25

高濃度Fe添加NiO薄膜の室温エピタキシャル成長と特性評価

池谷侑紀1, 藤元勇希1, 土嶺信男2, 金子智3, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.神奈川県産技セ

第78回応用物理学会秋季学術講演会, 6p-C23-11

β- Ga2O3薄膜のレーザー励起室温固相エピタキシーに与えるサファイア基板上バッファ層の効果

中村稀星1,森田公之1,土嶺信男2, 金子智3, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.神奈川県産技セ

第78回応用物理学会秋季学術講演会, 7p-C17-6

層状La‐Ni‐O系薄膜の一軸加圧熱処理による構造および特性変化

難波諒太郎1,伊藤翔陽1,土嶺信男2, 金子智3, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.神奈川県産技セ

第78回応用物理学会秋季学術講演会, 6p-C23-5

2017年 春

一軸加圧下熱処理によるMoOx薄膜の結晶相制御と特性評価

難波諒太郎1, 土嶺信男2, 金子智3, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.神奈川県産技セ

第64回応用物理学会春季学術講演会, 15a-P5-2

室温レーザーアニールにより作製されたβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の配向性制御

中村稀星1, 内田啓貴1, 土嶺信男2, 金子智3, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.神奈川県産技セ

第64回応用物理学会春季学術講演会, 14a-502-4

高速充放電リチウムイオン電池に向けたLiNbO3-LiCoO2正極の作製と評価

猪原匡洸1, 勝治直人1, 吉川祐未1, 寺西貴志1, 林秀考1, 岸本昭1, 依田孝次2, 本林秀文2, 田崎雄三2

1.岡山大, 2.豊島製作所

日本セラミックス協会2017年年会, 1P019

2016年 秋

エキシマレーザアニーリングによるβ-Ga2O3薄膜のバッファ層誘起室温エピタキシー

松田晃史1, 塩尻大士1, 内田啓貴1, 中村稀星1, 土嶺信男2, 金子智3, 1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.神奈川県産技セ

第26回日本MRS年次大会, A3-O20-003

FeドープNiOエピタキシャル薄膜の室温作製と特性評価

高野詩織1, 藤元勇希1, 土嶺信男2, 金子智3, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.神奈川県産技セ

第77回応用物理学会秋季学術講演会, 14p-A37-8

一軸加圧下熱処理によるMoOx系エピタキシャル薄膜の結晶相及び特性の制御

難波諒太郎1, 土嶺信男2, 金子智3, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.神奈川県産技セ

第77回応用物理学会秋季学術講演会, 14p-A37-11

レーザーアニールによる不純物ドープβ-Ga2O3薄膜の低温固相エピタキシャル結晶化

内田啓貴1, 中村稀星1, 土嶺信男2, 小山浩司3, 金子智4, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.並木精密宝石, 4.神奈川県産技セ

第77回応用物理学会秋季学術講演会, 14p-A37-12

室温レーザーアニールによるβ-Ga2O3薄膜の固相エピタキ シーに与えるNiOバッファ層の影響

中村稀星1, 内田啓貴1, 土嶺信男2, 小山浩司3, 金子智4, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.並木精密宝石, 4.神奈川県産技セ

第77回応用物理学会秋季学術講演会, 14p-P10-9

Preparation of Amorphous Lipon Electrolyte Particles Using the Polygonal-Barrel Plasma Treatment System

Hideki Nishizawa1, Hiroaki Iwane2, Yuzo Tasaki2, Hideshi Kikuyama2, Yuji Honda3 and Takayuki Abe1

1.University of Toyama, 2. Toshima Manufacturing Co., Ltd., 3. Youtec Corporation

PRiME Meeting, A04-0592

2016年 春

一軸加圧下熱処理による非晶質酸化モリブデン薄膜の固相結晶化

難波諒太郎1, 野沢靖久1, 譚ゴオン1, 土嶺信男2, 金子智3, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.神奈川県産技セ

第63回応用物理学会春季学術講演会, 21a-H103-5

エキシマレーザーアニーリングによるバッファ層誘起β-Ga2O3薄膜の低温固相エピタキシャル結晶化

内田啓貴1, 塩尻大士1, 福田大二1, 土嶺信男2, 小山浩司3, 金子智4, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.並木精密宝石, 4.神奈川県産技セ

第63回応用物理学会春季学術講演会, 20a-W321-6

MOD法によるペロブスカイト型誘電体-LiCoO2 複合正極の作製と評価

勝治直人1, 吉川祐未1, 米田美佳1, 寺西貴志1, 林秀考1, 岸本昭1, 依田孝次2, 本林秀文2, 田崎雄三2

1.岡山大, 2.豊島製作所

日本セラミックス協会2016年年会, 1P168

レーザプロセスによるワイドギャップβ-Ga2O3薄膜の低温エピタキシー

松田晃史1, 塩尻大士1, 福田大二1, 内田啓貴1, 吉本護1, 土嶺信男2, 金子智3

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.神奈川県産技セ

日本セラミックス協会2016年年会, 1E20

液相法による強誘電体-活物質複合正極の作製と高速充放電特性

寺西貴志1, 勝治直人1, 吉川祐未1, 林秀考1, 岸本昭1, 依田孝次2, 本林秀文2, 田崎雄三2

1.岡山大, 2.豊島製作所

第54回セラミックス基礎科学討論会, 2D08

2015年 秋

Solid-phase Epitaxial Crystallization of Ga2O3 Thin films by Pulsed KrF Excimer Laser Annealing Towards Low-Temperature Device Fabrication

Daishi Shiojiri1, Koji Koyama1, Akifumi Matsuda1, Mamoru Yoshimoto1, Nobuo Tsuchimine2, Satoru Kaneko3

1.Tokyo Inst. of Technol., 2.Toshima Manufacturing Co., Ltd., 3. Kanagawa Indust. Technol. Center

2015 MRS Fall Meeting, RR3.02

LLZ 焼結体の表面

大西剛1, 岩谷幸作2, 本林秀文2, 高田和典1

1.物材機構,2.豊島製作所

第41回固体イオニクス討論会, 3A01

エキシマレーザー照射による固相結晶化Ga2O3薄膜における構造及び光学特性への照射条件の影響

内田啓貴1, 塩尻大士1, 福田大二1, 土嶺信男2, 小山浩司3, 金子智4, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.並木精密宝石, 4.神奈川県産技セ

第76回応用物理学会秋季学術講演会, 14p-PA10-3

希土類ドープNiOエピタキシャル薄膜の特性評価

高野詩織1, 福田大二1, 塩尻大士1, 土嶺信男2, 金子智3, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.神奈川県産技セ

第76回応用物理学会秋季学術講演会, 14p-PA10-4

KrFエキシマレーザーアニールによるβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の室温作製と光学特性評価

塩尻大士1, 福田大二1, 内田啓貴1, 髙野詩織1, 土嶺信男2, 小山浩司3, 金子智4, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.並木精密宝石, 4.神奈川県産技セ

第76回応用物理学会秋季学術講演会, 15a-1B-5

紫外エキシマレーザー照射によるワイドギャップGa2O3薄膜の室温固相配向成長

塩尻大士1, 福田大二1, 内田啓貴1, 土嶺信男2, 小山浩司3, 金子智4, 1, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.並木精密宝石, 4.神奈川県産技セ

日本セラミックス協会第28回秋季シンポジウム, 2PA01

2015年 春

PLD法を用いたβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜成長のNiOバッファー層導入による低温化

福田大二1, 塩尻大士1, 山内涼輔1, 土嶺信男2, 金子智3, 松田晃史1, 吉本護1

1.東工大, 2.豊島製作所, 3.神奈川県産技セ

第62回応用物理学会春季学術講演会, 13p-D1-9

多角バレルプラズマ表面改質法による高イオン伝導性LiPON微粒子の調製

岩根弘晃1, 西澤秀基2, 井上光浩2, 菊山英志1, 田崎雄三1, 本多祐二3, 阿部孝之2

1.豊島製作所, 2.富山大学, 3.ユーテック

電気化学会第82回大会, 1K22

共同研究・論文発表