IGZO (InGaZnOx) : 技術情報 : 豊島製作所マテリアルズシステム事業部

IGZO (InGaZnOx)

ポスト・アモルファスシリコンとして、透明アモルファス酸化物半導体(Transparent amorphous oxide semiconductors :TAOS)が注目を集めています。

電気特性、光透過率など、TAOSの優れた特徴を生かして、カラー電子ペーパー、大画面液晶ディスプレイへの研究が進められています。

TAOSの中でも、IGZO(InGaZnOx)は最も注目されている材料です。1~10cm2/VSと優れた電気特性を持ち、薄膜は可視光を透過させるため、ほぼ透明の膜をつくることができます。

また、室温~150℃といった低温プロセスで膜を形成できることから、プラスチック基板等、高温プロセスに適さない基板材料にも適用可能です。

こうした特徴により、電子ペーパーや各種の透明デバイスの実現に大きく寄与する可能性を秘めた材料です。

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分光透過率の酸素量依存性

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シート抵抗の酸素流量特性

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技術情報