ディスプレイのAR(Anti-Reflection)用材料として広く知られているNb2O5は、一般的にはメタルNbのリアクティブスパッタによる成膜方法が採られています。
この場合、O2を多く流す必要があり、生産性の問題から量産には課題を残しています。また、Nb2O5酸化物ターゲットを用いた場合、ターゲットも高価であり、成膜レートも遅いため、一般的に量産では使用されていません。
当社の導電性Nb2Oxは、成膜中に僅かなO2を加えることで、これらの課題を全てクリアしつつ、良好なNb2O5薄膜を得ることができます。
光学特性
| Target | 負荷電力 | Ar / O2比 | 膜厚 |
|---|---|---|---|
| Φ 200 | PulseDC 3KW | 85 / 15 | 70mn |
| n (屈折率) | |||
| 405nm | 550nm | 635nm | 1550nm |
| 2.57 | 2.35 | 2.305 | 2.22 |
| k (減衰係数) | |||
| 405nm | 550nm | 635nm | 1550nm |
| 1.29E-03 | -1.97E-02 | -1.38E-02 | 2.54E-12 |

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光学特性
