導電性Nb2Ox : 技術情報 : 豊島製作所マテリアルズシステム事業部

導電性Nb2Ox

ディスプレイのAR(Anti-Reflection)用材料として広く知られているNb2O5は、一般的にはメタルNbのリアクティブスパッタによる成膜方法が採られています。

この場合、O2を多く流す必要があり、生産性の問題から量産には課題を残しています。また、Nb2O5酸化物ターゲットを用いた場合、ターゲットも高価であり、成膜レートも遅いため、一般的に量産では使用されていません。

当社の導電性Nb2Oxは、成膜中に僅かなO2を加えることで、これらの課題を全てクリアしつつ、良好なNb2O5薄膜を得ることができます。

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成膜レート

成膜レート

成膜レート

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光学特性

Target 負荷電力 Ar / O2 膜厚
Φ 200 PulseDC 3KW 85 / 15 70mn
n (屈折率)
405nm 550nm 635nm 1550nm
2.57 2.35 2.305 2.22
k (減衰係数)
405nm 550nm 635nm 1550nm
1.29E-03 -1.97E-02 -1.38E-02 2.54E-12
光学特性

光学特性

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技術情報