共同研究・論文発表 : 技術情報 : 豊島製作所マテリアルズシステム事業部

（Ni, Mg）O固溶系（111）エピタキシャル薄膜の室温成長と機能化

東工大物創 / 豊島製作所 / 並木精密宝石 / 東北大金研 / 東工大・弁理士

山内 涼輔 /　加藤 侑志 / 荒井 秀樹 /土嶺 信男 / 小林 晋 / 小山 浩司 / 木口 賢紀 / 吉本 護

講演番号： 14p-L-13

PLD法による希土類ドープNiOエピタキシャル薄膜の低温成長と評価

東工大物創 / 豊島製作所 / 並木精密宝石 /　東工大・弁理士

中井 裕和 / 中曽根 祐太 / 秋田 泰志 / 土嶺 信男 / 小林 晋 / 小山 浩司 / 吉本 護

講演番号： 14a-NF-1

Laser MBE法による六ホウ化物系エピタキシャル薄膜の作成と緩衝層挿入及び組成変調等による新機能探索

東工大物創 / 豊島製作所 / 神奈川産技センター / 東工大弁理士

加藤 侑志 / 白石 尚輝 / 荒井 秀樹 / 土嶺 信男 / 小林 晋 / 金子 智 / 吉本 護

講演番号： 20a-TJ-3

（Ni, Mg）O固溶系エピタキシャル薄膜の室温合成と評価

東工大物創 / 豊島製作所 / 並木精密宝石 / 東北大金研　/　東工大・弁理士

荒井 秀樹 / 加藤 侑志 / 白石 尚輝 / 土嶺 信男 / 小林 晋 / 小山 浩司 / 吉本 護

講演番号： 20p-TJ-1

雲母ターゲットのパルスレーザーアブレーションと薄膜合成の検討

東工大物創 / 山口雲母工業所 / 豊島製作所 /　東工大・弁理士

中曽根 祐太 / 秋田 泰志 / 杉本 雄樹 / 佐野 善史 / 土嶺 信男 / 小林 晋 / 吉本 護

講演番号： 20p-TJ-4

レーザーMBE法によるホウ化物系エピタキシャル薄膜の作製と組成変調による電気特性制御

工大物創¹ / 豊島製作所² / 神奈川産技センター³ / 東工大弁理士⁴

加藤 侑志^○1 / 白石 尚輝¹ / 荒井 秀樹¹ / 土嶺 信男² / 小林 晋² / 金子 智³ / 吉本 護^1,4

講演番号：9p-V-6

室温PLDによる高濃度LiドープNiOエピタキシャル薄膜の作製と評価

東工大物創¹ / 豊島製作所² / 神奈川産技センター³

白石 尚輝^{○ (M2) 1} / 加藤 侑志¹ / 荒井 秀樹¹ / 土嶺 信男² / 小林 晋² / 三橋 雅彦³ / 吉本 護¹

講演番号：9p-H-10

天然層状ケイ酸塩鉱物のアブレーションと薄膜合成の検討

東工大物創¹ / 豊島製作所² / 東工大弁理士³

中曽根 祐太^{○ 1} / 秋田 泰志¹ / 杉本 雄樹¹ / 土嶺 信男² / 小林 晋² / 吉本 護^1,3

講演番号：9p-P4-12

PLDによる不純物ドープMgOエピタキシャル薄膜の室温合成と評価

東工大物創¹ / 豊島製作所² / 東工大弁理士³

荒井 秀樹^{○ 1} / 加藤 侑志¹ / 白石 尚輝¹ / 土嶺 信男² / 小林 晋² / 吉本 護^1,3

講演番号：9p-P4-14

LBMO/ZnO積層膜形成におけるLBMO上層膜の膜質に及ぼすZnO下層膜質の影響

三重大工¹ / 東京工科大² / 豊島製作所³ / Madras Univ.⁴ / Jadavpur Univ.⁵

遠藤 民生^{○ 1} / 森川 圭祐¹ / 吉井 竜也¹ / 上原 賢一¹ / 毛塚 博² / 本林 秀文³ / John Rita⁴ / Chattopadhyay K⁵

講演番号：11a-J-8

Fabrication and Characterization of Electrically Functional Lanthanum Hexaboride Thin Films on Ultrasmooth Sapphire Substrates

Department of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology¹ / TOSHIMA Manufacturing Company Limited²,

Yushi Kato¹ / Yusaburo Ono¹ / Yasuyuki Akita¹ / Makoto Hosaka¹ / Naoki Shiraishi¹ / Nobuo Tsuchimine² / Susumu Kobayashi² / Mamoru Yoshimoto¹

Sputterring formation of p-type SnO thin-film transistor on glass toward oxide complimentary circuits

Canon Inc.¹ / Frontier Research Center² / Materials and Structures Laboratory³

Hisato Yabuta¹ / Nobuyuki Kaji¹ / Ryo Hayashi¹ / Hideya Kumomi¹ / Kenji Nomra² / Toshio Kamiya³ / Masahiro Hirano² / and Hideo Hosono^2.3

pp : 072111 1-3

Zn-Sb

Zn4Sb3熱電材料のホットプレス条件の最適化

産業技術総合研究所

上野 和夫^○ / 山本 淳 / 野口 照夫 / 小原 春彦 / 井上 貴博 / 袖 岡賢

第1回日本熱電学会学術講演会(2004) 講演番号:P-32

Y-Sr2TiO4

（（独）産業技術総合研究所様との共同研究成果） Y添加Sr-Ti-O酸化物の熱電特性

産業技術総合研究所、豊島製作所

小原 春彦^○ / 土嶺 信男 / 本林 秀文 / 山本 淳 / 李 哲虎 / 上野 和夫

第2回日本熱電学会学術講演会(2005) 講演番号:S2-4

プレゼンテーション資料

Bi-Te

パルスレーザー蒸着法によるBi-Te系薄膜の作製と評価

産業技術総合研究所

小原 春彦^○ / 山本 淳 / 上野 和夫

第3回日本熱電学会学術講演会(2006) 講演番号:S10-1

パルスレーザー蒸着法によるBi-Te系薄膜の熱電性能とデバイス化

産業技術総合研究所¹ / 東京理科大学²

非衣 旬^{○ 1} / 小原 春彦¹ / 山本 淳¹ / 上野 和男¹ / 飯田 努²

第4回日本熱電学会学術講演会(2007) 講演番号:S1-4

パルスレーザー蒸着法によるナノ構造Bi-Te系薄膜の高い熱電性能

産業技術総合研究所¹ / 東京理科大学²

非衣 旬^{○ 1,2} / 八木 貴志¹ / 小原 春彦¹ / 山本 淳¹ / 上野 和夫¹ / 飯田 努² / 竹歳 尚之¹ / 馬場 哲也¹

第5回日本熱電学会学術講演会(2008) 講演番号:S2-1

ホットプレス法により作製したビスマステルル系材料の均質性評価

産業技術総合研究所¹ / アルバック理工株式会社²

山本 淳^{○ 1} / 池内 賢朗² / 吉泉 麻帆² / 島田 賢次² / 高崎 洋一² / 石井 芳一²

第6回日本熱電学会学術講演会(2009) 講演番号:S2-2

LaNiO₃ / (RE)NiO₃

材料:

• La(TMOD)₃ / Sm(TMOD)₃ / Nd(TMOD)₃ / Pr(TMOD)₃ / Ni(TMOD)₂

Preparation of LaNiO₃ Thin Films by Liquid-Delivery MOCVD

Trans. Mater. Res. Soc. Jpn., 30, 1065 (2005).

Preparation of (RE)NiO₃ thin films as an electrode by liquid-delivery MOCVD

EUROCVD-15 Proceedings of the International Symposium, p826 (2005).

BiFeO₃

材料:

• Bi(p-Tol)₃ / Bi(p-Tol)₃ / Fe(TMOD)₃ / Fe(DPM)₃ / Fe(IBPM)₃ / Fe(DIBM)₃ / FeCp₂ / Fe(MeCp)₂

Evaluation of Metalorganic Precursors for Preparing BiFeO₃ Thin Films by Liquid Delivery Chemical Vapor Deposition

Integrated Ferroelectrics, 81, 281 (2006).

(Bi,La)₄Ti₃O₁₂ / (Bi,Nd)₄Ti₃O₁₂

材料:

• Bi(p-Tol)₃ / La(TMOD)₃ / Nd(TMOD)₃ / Ti(Oi-Pr)₂(DPM)₂ / La(TMOD)₃phen / Nd(TMOD)₃phen

Low Temperature Preparation of (Bi,Nd)₄Ti₃O₁₂ Thin Films by Liquid-Delivery MOCVD Using Neodymium Precursors with High Deposition Efficiency

Integrated Ferroelectrics, 81, 271 (2006).

Deposition control of La in the Preparation of (Bi,La)₄Ti₃O₁₂ Films by Liquid-delivery MOCVD

Trans. Mater. Res. Soc. Jpn., 31, 177 (2006).

ZnO

材料:

• Zn(IBPM)₂ / Zn(TMOD)₂ / Zn(DIBM)₂ / Ga(IBPM)₃ / Ga(TMOD)₃ / Ga(DIBM)₃ / Al(IBPM)₃ / Al(DIBM)₃

Preparation of trivalent metal doped ZnO thin films by liquid-delivery MOCVD

EUROCVD-15 Proceedings of the International Symposium, p818 (2005).

Preparation of Al doped ZnO thin films by Liquid-Delivery MOCVD

Trans. Mater. Res. Soc. Jpn., 31, 1021 (2006).

YBa₂Cu₃O_x / (RE)Ba₂Cu₃O_x

材料:

• Y(TMOD)₃ / Sm(TMOD)₃ / Gd(TMOD)₃ / Yb(TMOD)₃ / Ba(TMOD)₂ / Cu(EDMOD)₂

Preparation of YBCO Thin Film by MOCVD Method Using New Liquid Metal Organic Precursors

IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 9, 2367 (1999).

Rare Earth Element Complexes as a Liquid Precursor for (RE)Ba₂Cu₃O_y Thin Film by MOCVD

Advances in Cryogenic Engineering (Materials), 46, 489 (2000).

In2O3

材料:

• In(DIBM)₃ / In(DPM)₃ / In(TMOD)₃ / In(IBPM)₃ / In(acac)₃

Evaluation of Some Indium beta-Diketonates as a Precursor for Preparing In2O3 Thin Films by MOCVD

Trans. Mater. Res. Soc. Jpn., 29, 1479 (2004).